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报告摘要
在汽车高压化、器件高度集成化的趋势下,SiC MOSFET 在新能源车的渗透度持续提高,与此同时,中国作为新能源车最大的市场,加上国家政策推动第三代半导体发展,为 SiC MOSFET 发展带来显著的动能
国内衬底与外延厂商产能扩充进展顺利,为国产替代发展提供关键支撑;中游器件主要 IDM 厂商与 Fabless 厂商皆取得不错进展,且“上车”进度顺利
经过梳理分析后,头豹洞察出三大行业趋势:1. 8 英寸 SiC 衬底逐步落地,但规模商业化仍需时间;2. IDM 是 SiC MOSFET 行业主流模式;3. 短期平面技术是关键切入点,未来竞争的关键在于沟槽技术水平
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