近几年，多家行业领先的 GaN 厂商开始推出车规 GaN HEMT 产品，并与 Tier 1 等新能源车相关企业展开合作进行汽车应用技术的研发，部分厂商已联合推出电控产品，GaN HEMT 上车进程得到推进。 同为第三代半导体的 SiC MOSFET 导入汽车进度较快，但实际上由于受到成本限制，目前尚未能实现新能源车领域商用的大规模渗透，GaN HEMT 将有望基于 Si 衬底与成熟的 Si 工艺以低成本与易于规模化的优势实现赶超。 目前车规 GaN HEMT 的发展主要受三大关键因素影响：成本、可靠性、功率，即需要降低成本、提高可靠性与扩大器件功率覆盖度。目前非车规低压 GaN HEMT 成本已接近 Si 器件；可靠性验证体系得到完善；高功率 GaN HEMT 产品已推出并通过标准认证，GaN HEMT 上车进程将有望得到加速，迎来发展。