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    2022年中国新能源汽车产业系列研究报告 GaN HEMT 能否赶超 SiC MOSFET?

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    2022年中国新能源汽车产业系列研究报告 GaN HEMT 能否赶超 SiC MOSFET?

    头豹研究院10

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    GaN
    SiC
    功率半导体
    资讯科技业/半导体
    摘要
    近几年,多家行业领先的 GaN 厂商开始推出车规 GaN HEMT 产品,并与 Tier 1 等新能源车相关企业展开合作进行汽车应用技术的研发,部分厂商已联合推出电控产品,GaN HEMT 上车进程得到推进。 同为第三代半导体的 SiC MOSFET 导入汽车进度较快,但实际上由于受到成本限制,目前尚未能实现新能源车领域商用的大规模渗透,GaN HEMT 将有望基于 Si 衬底与成熟的 Si 工艺以低成本与易于规模化的优势实现赶超。 目前车规 GaN HEMT 的发展主要受三大关键因素影响:成本、可靠性、功率,即需要降低成本、提高可靠性与扩大器件功率覆盖度。目前非车规低压 GaN HEMT 成本已接近 Si 器件;可靠性验证体系得到完善;高功率 GaN HEMT 产品已推出并通过标准认证,GaN HEMT 上车进程将有望得到加速,迎来发展。
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    • 头豹研究院
    • 文章标题:
      2022年中国新能源汽车产业系列研究报告 GaN HEMT 能否赶超 SiC MOSFET?
    • 发布时间:
      7/26/2022
    • 价格:
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