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2020年中国存储器芯片行业概览
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2020-4-16 00:00

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  长江存储 紫光南京 长鑫存储 福建晋华
产品种类 3D NAND DRAM/NAND 移动式DRAM 利基型DRAM
当前制程工艺 64层   19nm 20nm
投资时间 2016年12月 2017年1月 2016年5月 2016年7月
投资规模 240亿美元 300亿美元 72亿美元 56.5亿美元
技术来源 美国飞索、中科院徽电子所 - 兆易创新 联电
关键人物 高启金 - 王宁国 陈正坤
设备入厂时间 2018年2季度 - 2018年1季度 2017年4季度
量产时间 已实现64制程小规模量产 - 2018年4季度 2018年3季度
计划月产能 10万片 10万片 4万片 6万片
2019年量产 5万片 - 2万片 2万片
中长期计划 30万/月产能 30万/月产能 12.5万/月产能 20-30万/月产能
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