不同于处理器芯片需要依靠不断缩小制程实现技术升级，射频前端芯片的迭代升级主要依靠新设计、新工艺和新材料的结合。目前行业主流的材料和工艺平台主要包括了RF CMOS、SOI、砷化镓、锗硅以及压电材料等，而氮化镓等新材料工艺也在逐渐普及当中。未来行业主流的做法是根据不同应用场景，针对性的选择材料、器件以及工艺，以期达到芯片最佳性能。

射频前端模组是指将两种或者两种以上的分立器件集成形成的统一模组。根据功能的不同，射频前端模组又可进一步分为主集模组和分集模组。主集模组负责射频信号的发送和接收，而分集模组只负责接收信号而不发送。

射频前端模组化和集中化趋势显著。在射频前端器件数量增多的情况下，当下智能移动终端趋向小型化和轻薄化，手机PCB板上留给射频前端的空间不断减少，这也使得射频前端器件模组化趋势越来越明显。然而，射频模组并不只是简简单单地将各个分立器件组合在一起，还需要考虑PA、滤波器等器件的特性、兼容性、结合方式等问题。伴随模组集成化程度的提高，其设计和制备难度也会呈几何倍数的增长。4G时代时，高度集成的PAMiD模组是头部手机厂商高端手机才会配置的射频前端解决方案。而到了5G 时代，在PAMiD基础上进一步集成LNA而兼备接收和发射功能的L-PAMiD和L-PAMiF模组成为中高端手机的标配，集成化程度进一步提高。

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