禁带宽度在2.3 eV以上的半导体材料，其中，禁带指价电子所在能带和自由电子所在能带之间的间隙，禁带越宽表明被束缚的价电子需要更多的能量才能成为自由电子，因此具有更高的耐受高压电特性和更好的热稳定性，代表性宽禁带半导体材料有碳化硅（SiC）、氯化镓（GaN）。

又被称为第三代半导体材料，指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料。

禁带宽度在2.3 eV以上的半导体材料，其中，禁带指价电子所在能带和自由电子所在能带之间的间隙，禁带越宽表明被束缚的价电子需要更多的能量才能成为自由电子，因此具有更高的耐受高压电特性和更好的热稳定性，代表性宽禁带半导体材料有碳化硅（SiC）、氯化镓（GaN）。