具有高频特性，按照器件结构类型可分为横向和纵向两种结构，横向GaN功率器件适用于高频和中功率应用，而垂直GaN功率器件可用于高功率模块。

化学式为GaN，英文名称为Gallium Nitride，是氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料，通常情况下为白色或者微黄色的固体粉末，具有稳定性高、熔点高、坚硬的特点。

氮化镓充电器是指使用氮化镓芯片的充电器，具有充电功率大、充电速度快、可同时充电多个设备的特点，可按输出功率和接口数量进行分类。

氮化镓HEMT是在能够形成二维电子气（2DEG）的异质结上用类似于MESFET的工艺制成的一种场效应晶体管,因此也称为异质结场效应晶体管（HFET）。

化学式为GaN，英文名称为Gallium Nitride，是氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料，通常情况下为白色或者微黄色的固体粉末，具有稳定性高、熔点高、坚硬的特点。