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报告摘要
碳化硅材料是第三代半导体的主要原材料，其性能可满足高功率及高频器件的需求，有望在高功率和高频领域部分替代硅。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，应用在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。新能源汽车领域是SiC功率器件应用的主要驱动力。SiC功率器件可有效帮助新能源汽车延长行驶里程，缩短充电时间，减轻车身重量；随着新能源汽车销量的快速增长，SiC功率器件的市场需求量势必将快速上升。根据《新能源汽车产业发展规划（2021-2035）》，中国新能源汽车于2025年将实现渗透率达到20%的目标，约为560辆，将带动SiC器件行业快速发展
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