在汽车高压化、器件高度集成化的趋势下，SiC MOSFET 在新能源车的渗透度持续提高，与此同时，中国作为新能源车最大的市场，加上国家政策推动第三代半导体发展，为 SiC MOSFET 发展带来显著的动能 国内衬底与外延厂商产能扩充进展顺利，为国产替代发展提供关键支撑；中游器件主要 IDM 厂商与 Fabless 厂商皆取得不错进展，且“上车”进度顺利 经过梳理分析后，头豹洞察出三大行业趋势：1. 8 英寸 SiC 衬底逐步落地，但规模商业化仍需时间；2. IDM 是 SiC MOSFET 行业主流模式；3. 短期平面技术是关键切入点，未来竞争的关键在于沟槽技术水平