“工业4.0”：指第四次工业革命，即通过物联信息系统将生产中的供应、制造、销售信息环节进行数据化和智慧化，从而达到高速、有效、个性化的产品供应。

“中国制造2025”：中国政府实施制造强国战略的第一个十年行动纲领。

02专项：在《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目中，因次序排在国家重大专项所列16个重大专项第二位，在行业内被称为“02专项”。

5G网络：是第五代移动通信网络，其峰值理论传输速度可达每秒数十Gb，比4G网络的传输速度快数百倍。

传感器：一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将感受到的信息按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。

磁镜：中间弱、两端强的特殊的磁场位形。

磁探针：安装在等离子体中或边界处的小螺线管线圈，其工作原理是根据电磁感应定律，当线圈所在空间中的磁场发生变化时，由于穿过线圈横截面的磁通发生变化，在线圈两端将产生一个感应电动势。

电弧放电：两个电极在一定电压下由气态带电粒子，如电子或离子，维持导电的现象。

仿星器：一种外加有螺旋绕组的磁约束聚变实验装置。

放射性废物：含有放射性核素或被放射性核素所污染，其浓度或比活度大于国家审管部门规定的清洁解控水平，且不能再利用的物质。

弗拉索夫方程：是由玻尔兹曼于1872年提出的一个方程，用于描述非平衡状态热力学系统的统计行为。

高频放电：放电电源频率在1兆赫以上的气体放电现象。

辉光放电：低压气体中显示辉光的气体放电现象，即稀薄气体中的自持放电（自激导电）现象。

溅镀：也称溅射，是一种物理气相沉积技术，指固体靶"target"（或源"source"）中的原子被高能量离子（通常来自等离子体）撞击而离开固体进入气体的物理过程。

可编程控制器：一种数字运算操作的电子系统，专为在工业环境下应用而设计。它采用可以编制程序的存储器，用来执行存储逻辑运算和顺序控制、定时、计数和算术运算等操作的指令，并通过数字或模拟的输入(I)和输出(O)接口，控制各种类型的机械设备或生产过程。

离子注入：当真空中有一束离子束射向一块固体材料时，离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面。

罗氏线圈：又称为电流测量线圈，是一个均匀缠绕在非铁磁性材料上的环形线圈。

受控核聚变：在一定约束区域内，有控制地产生并进行轻核聚变的科学，主要的受控核聚变方式有超声波核聚变、激光约束（惯性约束）核聚变、磁约束核聚变（托卡马克）。

托卡马克：一种利用磁约束来实现受控核聚变的环形容器。

无机物：与机体无关的化合物(少数与机体有关的化合物也是无机化合物，如水)，通常指不含碳元素的化合物，但包括含碳的碳氧化物、碳酸盐、氰化物、碳化物、碳硼烷、羰基金属、烷基金属、金属的有机配体配合物等。

压电阀：利用功能陶瓷片在电压作用下会产生弯曲变形原理制成的一种两位式（或比例式）控制阀。

有机物：由碳元素、氢元素组成，一定是含碳的化合物，但是不包括碳的氧化物和硫化物、碳酸、碳酸盐、氰化物、硫氰化物、氰酸盐、碳化物、碳硼烷、部分金属有机化合物等主要在无机化学中研究的含碳物质。

中性粒子：对外不呈现电性的微观粒子，如光子、中微子。

阻抗匹配：主要用于传输线上，以此来达到所有高频的微波信号均能传递至负载点的目的，且几乎不会有信号反射回来源点，从而提升能源效益。

BBGKY：Bogoliubov-Bom-Green-Kirkwood-Yvon，即BBGKY方程组，是处理强耦合中性粒子非平衡统计物理学方法。

CVD：Chemical Vapor Deposition，即化学气相沉积，指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。

FPC：Flexible Printed Circuit，即柔性电路板，以聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材制成的一种具有高度可靠性，绝佳的可挠性印刷电路板。

MOCVD：Metal-organic-Chemical Vapor Deposition，即金属有机化学气相沉积，是把反应物质全部以有机金属化合物的气体分子形式，用HZ气作载带气体送到反应室，进行热分解反应而形成化合物半导体的一种新技术。

PCB：Printed Circuit Board，即印刷电路板，是电子元器件电气连接的载体。

PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，即等离子体增强化学气相沉积法，是一种化学气相沉积工艺，用于在基板上将薄膜从气态沉积到固态。

PID控制器：Proportion Integral Differential，即比例-积分-微分控制器，是一个在工业控制应用中常见的反馈回路部件，由比例单元（P）、积分单元（I）和微分单元（D）组成。

PVD：Physical Vapor Deposition，即物理气相沉积，表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。