泵浦：一种使用光将电子从原子或分子中的较低能级升高（或“泵”）到较高能级的过程，多用于激光结构，泵浦源组件泵浦激光介质以实现群体反转。

参量放大器：利用时变电抗参量实现低噪声放大的放大电路，包括变容管参量放大器和量子放大器。

掺杂光纤：有杂质掺入的光纤纤芯，可导致光纤改性，出现光折变等效应。

超净室：一种严格要求卫生环境的房间，可用于光学器件制做。超净室内可进行涂胶、光刻、蒸发镀膜及键合、清洗、烘干、电镀、腐蚀、扩散、研磨等作业。

飞秒：Femto-second，毫微微秒，时间单位，等于一千万亿分之一秒。

分划板：极簿的表面刻有分划密位线的薄玻璃，参与成像，延长物镜焦距，可对右目镜长度产生程度不等的影响。

辐照度：受照面单位面积上的辐射通量。

光栅：由大量等宽、等间距平行狭缝构成的光学器件。

红外线：波长介于微波与可见光之间的电磁波，波长介于760纳米至1毫米之间。

磷化铟：具有半导体特性的深灰色晶体，由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。

硫化锌：白色至灰白色或浅黄色粉末，见光呈色变深。可溶于稀无机酸、碱，不可溶于水。

滤光片：用于选取所需辐射波段的光学器件。

脉冲：电子技术中一种脉搏式短暂起伏的电冲击（电压或电流），具备波形、幅度、宽度、重复频率等特性。

纳米：毫微米，长度度量单位，1纳米为10的负9次方米。

纳秒：时间单位，等于十亿分之一秒。

能带隙：研究固体中电子运动规律的一种近似理论，固体由原子组成，原子包括原子实和最外层电子，二者均处于不断运动状态。

铍：一种灰白色碱土两性金属，能溶于酸、碱液，多用于合金制备。

皮秒：Pico-second，时间单位，等于一万亿分之一秒。

偏振仪：用于监测荧光强度、荧光偏振、时间分辨荧光的化学发光仪器。

频谱：频率谱密，频率分布曲线。复杂振荡分解为振幅不同和频率不同的谐振荡，所有谐振荡幅值可按频率排列成频谱图形。

千人计划：“海外高层次人才引进计划”简称，由中央人才工作协调小组发布。围绕国家发展战略目标，各省（区、市）结合本地区经济社会发展和产业结构调整需要，有针对性地引进一批海外高层次人才。

扫描振镜：一种矢量扫描器件，可通过控制电流大小实现对振镜电机偏转角度的控制。

砷化镓：一种半导体材料，砷化镓制半导体器件具有高频、低温、性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

深紫外线：紫外线中波长在200纳米至350纳米之间的光线，广泛应用于净水厂、医院、工厂无尘车间等环境，具备空气杀菌、甲醛处理等作用。

椭偏仪：一种用于探测薄膜厚度、光学常数及材料微结构的光学测量仪器，测量精度高，适用于超薄膜，较少对被测量样品造成破坏。

无源光纤器件：运转无需外加能源驱动，工作过程不涉及光电转换或电光转换，不产生或接收光信号，负责光信号调节、相干、隔离、过滤、连接等控制类工作的光电器件，可为光信号传输系统设置关键节点。

稀土元素：17种特殊元素统称，包括镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钇和钪。

相干：指在时间或空间任意点上，光能量所有参数都可被预测并相关。

掩膜：半导体制造过程中，芯片工艺光刻步骤所使用的图形底片。

异质结：一种特殊PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，不同材料具有不同能带隙。

有源光纤器件：负责光信号发射、接收、光信号转换为电信号、电信号转换为光信号等工作的光电器件。

增益介质：波动能量传递需通过物质基本粒子准弹性碰撞实现，物质成分、形状、密度、运动状态等特性决定波动能量传递方向和速度，这种对波的传播起决定性作用的物质可称为波介质。增益介质指增加波传动能量优势的波传递物质。

啁啾脉冲放大：用于放大激光的一种技术，技术原理为放大前分散激光种子脉冲能量，放大后再集中。该技术可将激光功率提高1,000倍至TW级。

直接材料：指企业生产产品、提供劳务过程中消耗的直接构成产品实体的各种材料、外购半成品及有助于产品形成的辅助材料等。

紫外线：电磁波谱中波长在10纳米至400纳米之间的光辐射，具备灭菌等作用。

CT：Computed Tomography，电子计算机断层扫描。利用精确准直的X线束、γ射线、超声波等，与灵敏度极高的探测器一同围绕人体部位作接续断面扫描，具有扫描速度快，画面清晰等优点。

DPSS：一种以固体激光材料作为增益介质的激光产生装置，具有体积小、重量轻、效率高、性能稳定、可靠性好、寿命长、光束质量高等优点，市场需求巨大。

KW：功率单位，早期作为电的功率单位，现延伸为整个物理学领域功率单位。

LASIK：Laser-assisted in Situ Keratomileusis，准分子激光原地角膜消除术。用准分子激光对角膜瓣下基质层进行屈光性切削，以降低瞳孔区的角膜曲率，达到矫正近视的目的。

PLD：Pulsed Laser Deposition，脉冲激光沉积，利用激光对物体进行轰击，并将轰击所得物质沉淀在不同衬底上得到沉淀或者薄膜的一种技术。

PN结：采用不同掺杂工艺，通过扩散将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（硅、锗）基片上，于交界面形成的空间电荷区。

Q开关：一种脉冲激光产生技术，相对锁模方式，Q开关技术重复率高，脉冲能量较强，脉冲持续时间长。

W：辐亮度，表示单位投影面积、单位立体角上的辐射通量。

YAG：钇铝石榴石，由三氧化二钇（Y2O3）和氧化铝（Al2O3）反应生成的复合氧化物，是性能优越的激光晶体，波长1,064纳米，应用于军事、工业、医疗等行业激光设备。