靶材阴极：溅射靶材阴极，主要分为平面阴极、旋转阴极两种。其中，平面阴极主要由平面阴极体及铜背板构成；旋转阴极主要由阴极端头、磁棒、门板构成。

半导体：常温下导电性能介于导体（conductor)与绝缘体（insulator)之间的材料。

薄膜材料：简称“薄膜”。指采用特殊方法，在基板材料（如屏幕显示玻璃、光学玻璃等）的表面沉积或制备的一层性质与基板材料完全不同的物质层，厚度一般小于1微米。

磁棒：安装于旋转靶材中，保障镀膜稳定性和均匀性的重要组成部分。

磁控溅射：利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面的过程。

镀膜：一种薄膜沉积技术。为实现某些特定功能，通过物理或者化学沉积技术，物体可获得所需的膜层。

端头：镀膜系统从大气端到真空端的核心工作组件。

高纯铝：纯度（铝含量）大于99.8%的纯铝，具有良好延展性、高导电率、低变形抗力等特点。

化学气相沉积：Chemical Vapor Deposition，简称CVD。指将一种或几种含有构成薄膜元素的化合物与被沉积物体放置在同一反应室，在气态条件下发生化学反应，在被沉积物体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。

集成电路：一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体，在电路中用字母“IC”表示。

金属纯度：生产上以化学杂质的含量作为评价金属纯度的标准，即以主金属减去杂质总含量的百分数表示，常用N（nine的第一个字母）代表，如99.9999%写为6N，99.99999%写为7N，99.999%写为5N，99.95%写为3N5。

晶粒：材料内部晶胞方向与位置基本一致而外形不规则的小晶体。

晶圆：硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。

晶圆制造：每个晶圆片上含成百甚至上千个芯片，而每个芯片内部又包含着数以亿计的微型晶体管。晶圆的制造可分为前、后端两大工序。其中，前端工序是按照设计要求在每个芯片上制作出大量微型晶体管的过程，后端工序是将芯片内部的晶体管用金属线连接成电路的过程。

平面靶材：一定厚度的矩形或者圆形的靶材。

热等静压：将制品放置到密闭的容器中，向制品施加各向同等的压力，同时施以高温，在高温高压的作用下，制品得以烧结和致密化。

物理气相沉积：Physical Vapor Deposition，简称PVD。指在真空条件下，采用物理方法，将材料源—固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）在被沉积物体的表面沉积具有某种特殊功能的薄膜技术。

芯片：又称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成电路（integrated circuit，IC)内含集成电路的硅片，体积很小，是计算机或其他电子设备的一部分。

芯片封装：将芯片上的电路管脚接到芯片封装外壳的引脚上，从而起到联结芯片内部与外部电路并保护芯片的作用的工序。

旋转靶材：圆筒型的靶材，靶材溅射时其空心装有静止不动的磁体，控制靶材旋转。

FPD：Flat Panel Display，平面显示器。

ITO靶材：成分为In2O3/SnO2靶材，In2O3/SnO2分别占比80-95%/5-20%。

LCD：Liquid Crystal Display，超薄平面显示设备，由一定数量的彩色或黑白像素组成，放置于光源或反射面前方，利用电流刺激液晶分子产生点、线、面配合背部灯管构成画面。

TFT-LCD：Thin Film Transistor-LCD，薄膜晶体管型液晶显示器。指液晶显示器上的每一液晶像素点均由集成在其后的薄膜晶体管驱动，可做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。TFT-LCD 是目前 LCD 市场的主流产品。