摘要

碳化硅材料是第三代半导体的主要原材料，其性能可满足高功率及高频器件的需求，有望在高功率和高频领域部分替代硅: 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，应用在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 碳化硅器件的意义不仅在于其本身的优异性能，其更是对中国半导体产业提供国产替代的重要发展机遇: 在传统的硅基半导体领域，技术进步已经放缓，发达国家依靠着数十年的研发和布局，积累了足够多的专利，并掌控着上游关键材料和设备的技术和供应链，占据着对中国半导体进行制裁、发动科技战的主动权。在产业配套全面落后的情况下，中国在硅基半导体领域的替代进程缓慢。而在第三代半导体产业中中国企业与海外龙头的差距相对更小，发达国家可以用来制裁和控制中国第三代半导体发展的手段和技术也十分有限，因此第三代半导体是中国企业实现半导体产业快速发展及本土化的重要赛道。 中国碳化硅产业总体落后于以美国、日本为代表的发达国家，其产业链逐个环节均由西方发达国家占据主导地位:中国碳化硅的产业链上游为衬底材料、中游外延材料、下游为射频器件和功率器件，以及终端应用领域新能源汽车、光伏、5G通信等领域。