①耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。②耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。③实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。

①技术壁垒高：碳化硅SiC生产过程分为SiC单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组四大环节。主流制造衬底的方式首先以物理气相升华法，在高温真空环境下将粉料升华，通过温场的控制在籽晶表面生长出碳化硅晶体。以碳化硅晶片为衬底，使用化学气相沉积法，在晶片上淀积一层单晶形成外延片。其中，在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，可制成功率器件，主要应用于电动车、光伏等领域就目前而言，碳化硅产业链中碳化硅衬底的技术壁垒最高，碳化硅衬底生产难度最高。②规模效应强：伴随大直径衬底占比不断提高、单晶的平均可用厚度增加，衬底单位面积生长成本下降仍会持续增加。随着6英寸衬底、外延晶片质量提高，8英寸产线实现规模化生产，碳化硅SiC器件和模块逐渐普及为电动汽车主流配置，规模效应增大，成本可得到有效降低。③行业盈利能力强：由于碳化硅SiC材料的生产成本较高，市场价格也相对较高，因此碳化硅SiC材料的应用在新能源汽车领域也有望带来更高的盈利。

①汽车供应链稳定：新能源车供应链受益于政策和市场需求快速增长。②技术更迭慢：技术工艺挑战多且大，不会再短时间内迭代。

几家SiC巨头企业，如Infineon、Wolfspeed、安森美、STMicrosemiconductor和ROHM，通过一系列重大收购成为行业中的龙头企业。这些收购涉及到了SiC全产业链中的各个环节，从原材料、晶圆制造到器件封装等环节，实现了SiC全产业链的布局，并在全球范围内掌握了SiC技术的核心竞争力。这不仅推动了整个SiC产业的发展，也为新能源汽车等行业的发展提供了有力的支持。随着SiC技术的不断成熟和市场需求的不断增加，这些SiC巨头将继续在行业中扮演着重要的角色。但中国缺少龙头企业。