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本文援引于报告《2020年中国存储芯片行业概览》，首发于头豹科技创新网（www.leadleo.com）。

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中国存储芯片技术持续升级，国产替代进入加速期

存储芯片是半导体行业三大支柱之一。据全球半导体贸易协会(WSTS)数据显示，2019年全球半导体市场规模为5,000亿美元，其中存储芯片市场规模1,155亿美元，占比高达22%。过去10年，中国存储芯片市场被欧美日韩发达国家的先进企业把控，存储芯片的国产率不足5%，进口依赖严重。为加速存储芯片的国产化，中国在政策、财政以及人力等多方面支持本土存储芯片厂商。国家集成电路产业投资基金（以下简称“大基金”）重点投资长江存储项目，持有长江存储24.1%的股份。安徽省政府将合肥长鑫列入重点扶持项目，并开发多个申报通道支持合肥长鑫资金扶持的申请。在政府的大力支持下，中国存储芯片行业高速发展，在技术与产能上与国际头部企业的差距逐渐缩小。

（1）2020年4月，长江存储成功研发两款128层产品，分别是128层QLC 3D NAND闪存、128层512Gb TLC(3bit/cell)规格闪存芯片，前者已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。128层技术是当前3D NAND Flash领域最先进的技术。长江存储成功突破128层技术，标志着中国存储芯片技术已与国际接轨。

（2）2019年8月，重庆市政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。长江存储由紫光集团联合大基金孵化而出，在NAND Flash芯片领域已获得显著的成绩。此次签署的协议显示紫光集团将携手重庆市政府布局DRAM芯片。凭借紫光集团雄厚的技术实力与重庆政府的大力支持，中国DRAM芯片的国产化将进入加速期。

存储芯片种类繁多，其中DRAM芯片与NAND Flash芯片市场需求最大

存储芯片是以半导体材料为介质，存储数据的芯片，广泛应用于智能手机、笔记本电脑与服务器等领域。本篇报告主要研究存储芯片在智能手机领域的应用。存储器可分为只读存储器（Read-Only Memory，ROM)与随机存储器（Random Access Memory，RAM）。ROM特性是在断电时仍可保存数据，通常用来保存资料，如照片、音视频等。RAM保存的数据通常专供设备处理器CPU运算使用，数据存储与读写速度极快，与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将消失。

RAM可细分为DRAM（Dynamic Read-Only Memory，动态随机存储）与SRAM（Static Read-Only Memory，静态随机存储），其中DRAM应用最广泛。非易失性存储中最常见的为Nor Flash与NAND Flash，Nor Flash因其读写速度快且可擦除写入，被作为代码存储的主要器件。NAND Flash在高容量时具有成本优势，且读写速度比传统的光学、磁性存储器快，是现在主流的大容量数据存储器件。

2020年DRAM芯片价格有望触底反弹

存储芯片行业具有明显的周期性，平均3-4年一个周期。2020年，中国存储芯片市场价格有望回暖。

2014-07至2016-07（下行周期）

三星电子、海力士公司以及美光科技头部企业为抢占市场份额，拉开价格战，导致DRAM芯片价格下滑。

2016-07至2018-07（上行周期）

2016年智能手机市场的竞争越趋成熟，为了创造差异化，手机厂商均推出存储容量更大的产品，推动市场对于换机的需求。此外，数据中心加速建设，对DRAM芯片的需求急速增长。存储器厂商未及时扩产造成供给缺口，导致DRAM芯片价格上行。

2018-07至2019-07（下行周期）

2017至2018年，存储器头部厂商资本支出急剧攀升，产能迅速扩大张，成功填补DRAM芯片市场供给缺口。受益于DRAM芯片供需的上升，存储器头部厂商收入提升明显。

2018年下半年DRAM芯片的供需关系逐渐稳定，DRAM的价格逐步下跌。

2019年，数据中心市场快速降温，除Facebook外，各家云端厂商放缓大规模建设数据中心的步伐，使得服器用领域的存储器价格率先下跌。

2019-07至2021-07（DRAM芯片价格有望触底反弹）

2019年下半年，DRAM芯片价格拐点显现，呈现上升趋势。2020年上半年，由于新冠病毒疫情影响，DRAM芯片下游市场均呈现疲软迹象，消费电子出货量下降明显，5G与数据中心建设放缓，导致DRAM芯片价格再次回落。

随着疫情进入可控阶段，DRAM芯片下游市场逐渐复苏，DRAM芯片价格有望重回上行周期。

智能手机存储器容量持续升级

DRAM与NAND Flash芯片在智能手机领域的应用

智能手机存储器包括运行内存（RAM）与机身内存（ROM）两部分。RAM和ROM均属于半导体存储器，采用不同的存储芯片。

RAM采用DRAM存储芯片，仅能临时存储数据。RAM具有高速读写与擦除的优势，用于与CPU高速交换缓存数据。RAM容量大小影响手机的运行速度，RAM容量大手机则可更迅速的运行应用程序，并同时运行更多的程序。

智能手机ROM采用NAND Flash芯片，负责长期存储数据，且存储的数据不会因断电消失。ROM容量越大，智能手机可存储的数据（照片、音视频）越多。

智能手机内存容量持续提升

在智能手机市场，消费者对多任务处理和高速低价数据空间的需求在不断提升，使每一部手机的DRAM容量快速增长。2001年发布的第一批智能手机内存仅有8MB，经过接近20年的高速发展，高端智能手机内存普遍达到8G与12G。智能手机内存容量的高速增长推动DRAM芯片在智能手机领域市场规模的扩张。

2009年后，智能手机多采用LPDDR作为内存。LPDDR内存具有低功耗、高带宽的特性，适应在智能手机与笔记本电脑等轻薄移动设备终端中应用。经过10年的发展，LPDDR亦经过了数次升级，每一次升级都引领智能手机的更新换代，为DRAM芯片在手机市场的增长注入新动力。

2020年，小米10率先使用LPDDR5。LPDDR5数据传输速度可高达44G每秒，相比LPDDR4X提升了30%-50%。同时，采用LPDDR5的整机可省电5%-10%，续航延长5%-10%，更迎合5G手机大带宽与高功耗的需求。

存储芯片在中国智能手机领域的市场规模稳定增长

2019年，存储芯片在中国智能手机领域的市场规模明显下滑，其主要原因在于中国智能手机市场景气度持续下行与存储芯片市场价格下降。2020年是5G基站大规模建设的第一年，5G相关产业将进入上升周期，智能手机市场将迎来“换机潮”，推动存储芯片市场规模的增长。

存储芯片产品具有典型的大宗商品属性，差异化竞争较小，不同企业生产的产品技术指标基本相同，标准化程度较高，因此品牌化程度较弱，用户粘性低。从手机用户角度分析，用户通常只会考虑存储芯片的容量，如手机存储量是64G还是128G，对存储芯片品牌不会有过多关注。在市场差异化竞争小的背景下，存储芯片在手机领域的市场规模对存储芯片单价敏感度极高，而存储芯片的市场价格则与市场供需关系紧密相关。此外，中国手机的出货量直接反应手机市场对存储芯片市场的需求，对存储芯片在手机市场的规模有重要影响。

深度见解：IP创新与自主制造是促进存储芯片行业发展的核心

存储芯片的难点在于IP和制造。国际头部厂商的主流经营模式为IDM模式，拥有丰富的设计经验与先进的制造技术。中国企业在IP创新与制造环节落后于国际头部企业，是未来的重点突破方向。

受制于欧美日韩对中国半导体行业的限制，中方获得IP的主要方式为合作授权与自主研发相结合的方式。中国相关企业与机构已成功申请少量的存储芯片IP，数量远落后于欧美日韩等发达国家。未来，IP创新将成为存储芯片产业的主旋律，是中国实现存储芯片自主可控的关键因素。

在中国政策的大力支持下，中国已初步实现存储芯片的自主制造。2018年，中国三大存储芯片制造产线成功落地，未来将向更大产能与更先进的制程工艺持续突破。