氮化镓功率器件，可通过多种工艺得到，例如离子注入工艺的GaN MOSFET、AlGaN/GaN异质结结构的GaN MOSFET。

在图像生成上取得了巨大的成功，这无疑取决于 GAN 在博弈下不断提高建模能力，最终实现以假乱真的图像生成

Gallium nitride，氮和镓的化合物，一种直接能隙的半导体。

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