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    薄膜沉积主流技术对比

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    2021年中国薄膜沉积设备行业概览
    2021年中国薄膜沉积设备行业概览

    头豹研究院

    ·

    电子制造/电子材料及设备/半导体材料

    发布时间

    2021-6-18 00:00

    技术标准 PVD CVD ALD
    沉积原理 物理气相沉积 气相化学反应 表面饱和式反应
    沉积过程 成核生长 成核生长 逐层饱和反应
    厚度标准 >200A >100A <200A
    速度
    均匀性控制能力 50A范围 1-10A范围 0.7-1A范围
    薄膜质量 化学配比一般,针孔数量高,应力控制有限 具有很好的化学配比,针孔数量少,具有应力控制能力 具有很好的化学配比,针孔数量少,具有应力控制能力
    覆盖能力 在10:1高宽比条件下提供50%的台阶覆盖能力 非金属膜在5:1以下宽比条件下提供60~80%台阶覆盖能力;CVD 在10:1深宽比条件下提供接近100%台阶覆盖能力 在60:1高宽比条件下提供100%台阶覆盖能力
    清洁度 有颗粒感存在 有颗粒感存在 无颗粒感存在
    工艺窗口 对真空度变化十分敏感 对工艺参数变化十分敏感 <1%变化 (对于工艺参数10%变化)
    扩展性 100nm技术 90-65nm技术 无限
    真空要求 很高 中等 中等
    材料范围 材料范围广 易受前驱体影响 受前驱体影响小
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    头豹研究院编辑整理
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