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使用不同衬底材料的 GaN 器件对比

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使用不同衬底材料的 GaN 器件对比

头豹研究院64

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2022年中国新能源汽车产业系列研究报告 GaN HEMT 能否赶超 SiC MOSFET?
2022年中国新能源汽车产业系列研究报告 GaN HEMT 能否赶超 SiC MOSFET?

头豹研究院

发布时间

2022-7-26 00:00

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  GaN-on-Si GaN-on-SiC GaN-on-GaN
晶格失配度 17% 3.5% -
热膨胀系数 54% 25% -
化学稳定性
已可规模化量产的尺寸 最高至12英寸 6英寸 最高至4英寸
成本 高于 SiC
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    使用不同衬底材料的 GaN 器件对比,GaN,SiC,功率半导体,资讯科技业/半导体,行业报告
    同质外延性能最优,但是衬底良率过低,成本过高。因此,现阶段商用器件主要以使用Si与SiC衬底的器件路线为主
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