分类上,按照下游应用领域,光刻胶可分为 IC 光刻胶、PCB 光刻胶、LCD光刻胶。IC 光刻胶根据曝光波长又可分g 线光刻胶(436nm)、i 线光刻胶(365nm)、KrF 光刻胶(248nm)、ArF 光刻胶(193nm)、EUV 光刻胶(13.5nm)等,通常情况下曝光波长越短,分辨率越佳,适用IC 制程工艺越先进。按照化学反应原理,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶曝光部分在显影液中溶解,负性光刻胶未曝光部分在显影液中溶解。由于负性光刻胶显影时易变形和膨胀,自1970s 以后正性光刻胶逐渐成为主流。