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碳化硅外延设备
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行业定义
碳化硅外延设备是半导体和光电子器件制造领域的关键组成部分,专注于设计、制造和提供用于生产碳化硅外延片的设备。这些设备在先进半导体工艺中扮演着关键角色,碳化硅外延设备通常包括反应室、气体供应系统、基底、加热系统和真空系统等组成部分。该行业的关键趋势包括对高性能、高集成度半导体器件的不断需求,以及对能效和高频应用的增长需求。
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行业分类
碳化硅外延设备主要通过其用途和技术特征进行分类。按用途,可以分为功率器件外延设备、射频器件外延设备等。按技术特征,可分为气相外延设备、物理气相外延设备等。
AI访谈
行业特征
中国碳化硅外延设备行业呈现多元化发展特征。目前中国碳化硅外延设备的主流技术包括CVD、LPE、MOCVD等,其中CVD应用最广泛,但仍存在均匀性等挑战。中国厂商如晶盛机电、北方华创、芯三代等推崇单片炉,LPE技术为主导。然而,单片机的产能限制逐渐凸显,市场在不断探索提升产能的新技术路线,如AIXTRON的G10系统。国产企业在技术创新、成本效益等方面具优势,芯三代、晶盛机电和北方华创等成功实现国产替代,推动行业转型。整体而言,中国碳化硅外延设备行业正积极应对产能挑战,不断追求技术创新和市场多元化。
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发展历程

碳化硅外延设备行业

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碳化硅外延设备行业
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AI访谈
竞争格局
中国碳化硅外延设备行业市场竞争激烈,呈现多层次的竞争格局。当前可分为国外厂商和中国本土厂商两大主要梯队。在竞争格局中,海外厂商以意大利的LPE、德国的爱思强、日本的Nuflare占据主导地位,全球市占率合计超过80%。这些厂商具有先进的技术实力和丰富的市场经验,为全球碳化硅外延设备市场的发展做出了显著贡献。然而,中国本土厂商在本土市场崭露头角,逐渐提高市场竞争力。部分本土厂商的产品质量已经达到国际先进水平,为中国市场注入更多活力。中国本土厂商竞争格局可分为三个梯队:第一梯队包括晶盛机电、北方华创、纳设智能和中电48所等,这些公司在技术实力和市场份额方面处于领先地位;第二梯队由芯三代、中微半导体和三安集成等组成,其在市场中具备一定竞争力,正在不断发展壮大;第三梯队包括晶升股份、汉印机电和粤升科技等,这些公司在市场中处于发展初期,但潜力巨大。
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摘要
碳化硅外延设备是半导体和光电子器件制造领域的关键组成部分,主要用于生产碳化硅外延片。CVD法是当前最广泛应用的碳化硅外延生长技术,但仍面临着技术挑战。相较之下,分子束外延(MOCVD)作为一种新型CVD技术具有独特优势。中国碳化硅外延设备市场仍由国外厂商主导,但国产替代空间巨大。单片炉仍为中国碳化硅市场的外延设备主流产品,但随着碳化硅扩产需求的增加,单片机产能受到限制,市场正在不断探索其他提升产能的技术路线。
碳化硅外延设备行业定义
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Prompt
碳化硅外延设备行业最常用的定义是指生产碳化硅外延片的设备和工艺。碳化硅外延片是一种半导体材料,具有高温、高频、高功率等特性,广泛应用于电力电子、光电子、微电子等领域。 在碳化硅外延设备行业中,还存在其他一些定义,如碳化硅晶圆设备、碳化硅单晶生长设备等。这些定义与碳化硅外延设备的区别在于其生产的产品不同。碳化硅晶圆设备主要用于生产碳化硅晶圆,而碳化硅单晶生长设备则用于生产碳化硅单晶。 此外,碳化硅外延设备行业中还存在着不同的技术路线和工艺流程。例如,有基于化学气相沉积(CVD)技术的碳化硅外延设备,也有基于物理气相沉积(PVD)技术的碳化硅外延设备。这些不同的技术路线和工艺流程会影响到设备的性能和生产效率。 综上所述,碳化硅外延设备行业最常用的定义是指生产碳化硅外延片的设备和工艺。与此同时,还存在其他定义,如碳化硅晶圆设备、碳化硅单晶生长设备等,其生产的产品不同。此外,不同的技术路线和工艺流程也会影响到设备的性能和生产效率。
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碳化硅外延设备是半导体和光电子器件制造领域的关键组成部分,专注于设计、制造和提供用于生产碳化硅外延片的设备。这些设备在先进半导体工艺中扮演着关键角色,碳化硅外延设备通常包括反应室、气体供应系统、基底、加热系统和真空系统等组成部分。该行业的关键趋势包括对高性能、高集成度半导体器件的不断需求,以及对能效和高频应用的增长需求。
[1]
1:《人工晶体学报》
碳化硅外延设备行业分类
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碳化硅外延设备行业可以根据不同的分类标准进行分类,其中最主流的分类标准包括设备类型、应用领域和地区。 1. 设备类型分类 碳化硅外延设备可以根据其结构和功能特点进行分类,主要分为以下几类: (1)基板类型:根据基板类型的不同,可以将碳化硅外延设备分为SiC-on-SiC、SiC-on-Sapphire、SiC-on-GaN等类型。这些设备的主要区别在于基板材料的不同,对于不同的应用场景,选择不同的基板类型可以获得更好的性能和效果。 (2)反应室类型:根据反应室的结构和材料不同,可以将碳化硅外延设备分为石英管式、石墨舟式、石墨炉式等类型。这些设备的主要区别在于反应室的材料和结构对反应过程的影响,不同的反应室类型适用于不同的生长条件和工艺要求。 (3)生长方式:根据生长方式的不同,可以将碳化硅外延设备分为气相生长、液相生长、固相生长等类型。这些设备的主要区别在于生长方式对生长速度、晶体质量和控制精度的影响,不同的生长方式适用于不同的应用场景和生长要求。 2. 应用领域分类 碳化硅外延设备可以根据其应用领域进行分类,主要分为以下几类: (1)光电子器件:包括LED、激光器、探测器等光电子器件的生长和制备设备。这些设备的主要特点是需要高质量的晶体生长和精密的控制技术,以获得高效率、高亮度和长寿命的光电子器件。 (2)功率器件:包括MOSFET、JFET、Schottky二极管等功率器件的生长和制备设备。这些设备的主要特点是需要高质量的晶体生长和精密的控制技术,以获得低损耗、高温稳定性和高可靠性的功率器件。 (3)射频器件:包括HEMT、MESFET、BJT等射频器件的生长和制备设备。这些设备的主要特点是需要高质量的晶体生长和精密的控制技术,以获得高频率、高功率和低噪声的射频器件。 3. 地区分类 碳化硅外延设备可以根据其生产和销售地区进行分类,主要分为以下几类: (1)欧美地区:包括美国、德国、英国等欧美国家的碳化硅外延设备制造商和销售商。这些设备的主要特点是技术先进、品质优良、价格高昂,适用于高端市场和高要求客户。 (2)亚洲地区:包括日本、韩国、中国等亚洲国家的碳化硅外延设备制造商和销售商。这些设备的主要特点是价格相对较低、品质参差不齐、技术水平有待提高,适用于中低端市
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碳化硅外延设备主要通过其用途和技术特征进行分类。按用途,可以分为功率器件外延设备、射频器件外延设备等。按技术特征,可分为气相外延设备、物理气相外延设备等。
按技术特征分
碳化硅外延设备分类
气相外延设备
气相外延是一种化学气相沉积(CVD)技术,通过将气体前体(通常是含有碳和硅的气体)引入反应室,在高温环境下使其分解并在衬底表面沉积碳化硅薄膜。气相外延设备通常包括反应室、气体供应系统、加热系统、真空系统等组成部分。特点: 这种设备生产的外延片厚度均匀,适用于大面积薄膜的生长,同时可实现高温和高真空条件下的稳定生产。
物理气相外延设备
物理气相外延是一种利用物理手段(通常是热蒸发或反应溅射)在衬底表面沉积碳化硅的技术。这种方法不涉及气相的化学反应,而是直接将源材料以物理形式输送到衬底表面。典型的物理气相外延设备包括蒸发源或溅射源、真空室、衬底旋转系统等。特点: 物理气相外延通常用于生长较薄的外延层,具有较好的晶体质量和表面平整度。这种方法还可以在相对较低的温度下实现生长。
[2]
1:《机车电结动》
碳化硅外延设备行业特征
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Prompt
中国碳化硅外延设备行业特征分析 在商业模式、竞争环境、用户画像、利润成本、行业周期、供给需求、准入门槛、发展前景等多个维度中,我们选择了商业模式、竞争环境和准入门槛三个重要的维度,来分析中国碳化硅外延设备行业的特征。 商业模式 碳化硅外延设备行业的商业模式主要是以设备销售为主,同时也包括售后服务和技术支持。由于该行业的设备价格较高,一般需要客户进行定制化购买,因此销售渠道主要是通过直接面向客户或者通过代理商进行销售。此外,一些企业还会提供设备租赁服务,以满足客户的不同需求。 竞争环境 碳化硅外延设备行业的竞争环境主要是国内外两个方面。国内市场上,主要的竞争者有中芯国际、华虹半导体、长电科技等大型半导体企业,以及一些专业的设备制造商如华天科技、中微半导体等。国外市场上,主要的竞争者有美国的Cree、日本的日立金属、欧洲的Aixtron等。这些企业在技术研发、生产能力、市场份额等方面都具有一定的优势。 准入门槛 碳化硅外延设备行业的准入门槛较高,主要表现在以下几个方面: 首先,技术门槛高。该行业需要掌握复杂的物理化学知识和工艺技术,需要具备较强的研发能力和创新能力。 其次,资金门槛高。该行业需要大量的资金投入,包括研发、生产、销售等各个环节。 再次,市场门槛高。该行业需要具备一定的市场份额和品牌影响力,才能够在激烈的市场竞争中获得优势。 结合数据论证 根据统计数据显示,2019年中国碳化硅外延设备市场规模达到了22.5亿元,预计到2025年将达到45亿元。其中,国内市场占据了主导地位,但国外市场也在逐步扩大。在竞争环境方面,中芯国际、华虹半导体等大型半导体企业在国内市场上占据了较大的市场份额,而在国外市场上,美国的Cree、日本的日立金属等企业则具有一定的优势。在准入门槛方面,该行业需要大量的资金投入和技术研发能力,因此进入门槛较高。 结论 综上所述,中国碳化硅外延设备行业的商业模式主要以设备销售为主,竞争环境主要是国内外两个方面,准入门槛较高。随着半导体产业的快速发展,碳化硅外延设备行业也将迎来更广阔的发展前景。
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中国碳化硅外延设备行业呈现多元化发展特征。目前中国碳化硅外延设备的主流技术包括CVD、LPE、MOCVD等,其中CVD应用最广泛,但仍存在均匀性等挑战。中国厂商如晶盛机电、北方华创、芯三代等推崇单片炉,LPE技术为主导。然而,单片机的产能限制逐渐凸显,市场在不断探索提升产能的新技术路线,如AIXTRON的G10系统。国产企业在技术创新、成本效益等方面具优势,芯三代、晶盛机电和北方华创等成功实现国产替代,推动行业转型。整体而言,中国碳化硅外延设备行业正积极应对产能挑战,不断追求技术创新和市场多元化。
1
CVD法是当前最广泛应用的碳化硅外延生长技术
CVD成长速度快,生长厚外延层时能够对生长速率精确控制
碳化硅外延的生长方法涵盖了多种技术,包括化学气相沉积(CVD)、液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、蒸发生长法、磁控溅射以及脉冲激光沉积(PLD)等。其中,CVD法作为当前应用最广泛的外延技术,其碳化硅外延生长原理涉及将C源(如C3H8)和Si源(如SiH4)由H2作为载气稀释引入反应室,以生成SiC薄膜和副产物CVD法具备在碳化硅外延中仍然面临着技术挑战,主要表现在碳化硅外延的厚度均匀性、掺杂均匀性、缺陷率和生长速率的精确控制上。相较之下,分子束外延(MOCVD)作为一种新型CVD技术具有独特优势。MOCVD采用金属有机化合物作为反应源,相较于传统CVD中使用的无机化合物,有机化合物的熔点更低,种类更为丰富。因此,MOCVD的沉积温度显著降低至500-1,200℃,使其能够在不同衬底上沉积超薄层甚至原子层的特殊结构表面。
2
未来2-3年,中国碳化硅外延设备行业将经历国产替代的快速发展
中国碳化硅外延设备市场仍由意大利的LPE、德国的爱思强、日本的Nuflare三大厂商为主要供应商
虽然Nuflare采用垂直气流,具备流场均匀、particle较少、产能大等优势,但伴随着较高的设备成本、略差的厚度和掺杂均匀性,以及高耗材成本。未来2-3年,SiC MOCVD设备国产替代趋势将迎来加速发展。LPE则采用水平气流,价格适中、生长速率高、厚度和掺杂均匀性较好,但存在上壁粒子掉落导致良率偏低、工艺可调性差、PM周期短、单设备产能提升难度大的缺陷。爱思强采用垂直气流(公转+自转),在厚度和掺杂的均匀性上表现良好,但存在重复性差,不适用于量产,且存在Particle较多的问题。未来2-3年,SiC MOCVD设备国产替代趋势将迎来加速发展。中国国产设备在技术、成本和性价比方面相对有优势,特别是在SiC产业迅速发展的背景下,中国生产商有望在短时间内大规模替代国外设备,呈现出类似于LED MOCVD市场的发展格局。当前,中国本土厂商如晶盛机电、北方华创、芯三代、中电48所和深圳纳设智能等,借鉴LPE的水平气流&单片外延方式,其中芯三代还研发了Nuflare垂直气流&双腔外延方式。晶盛机电已经成功实现国产替代,而芯三代更是引领着国产替代的浪潮,成功研发了8英寸单片式碳化硅外延生长设备,为中国外延设备市场带来了全新的变革。
3
单片炉仍为中国碳化硅市场的外延设备主流产品
随着碳化硅扩产需求的增加,单片机产能受到限制,公司开始尝试使用多片机量产
中国碳化硅市场的外延设备主要采用稳定性高、操作简单的单片炉,其中以意大利LPE公司的Pe106/108为代表。该机型具有高温自动装取片的特点,生长速率快、外延周期短、片内及炉次间一致性好等优势,在中国市场占据最高市场份额。晶盛机电、中国电科48所、北方华创、纳设智能等公司也推出了类似功能的单片式SiC外延设备,取得了大规模应用。由于其稳定可靠的工艺性能,目前中国单片炉市场已累计超过450台,各公司仍有大量待交付订单。虽然单片机仍是市场主流,但随着扩产需求的增加,单片机的产能限制逐渐显现。据LPE透露,单片机月产能较低,仅为350片/月,因此市场正在不断探索其他提升产能的技术路线,如2022年由AIXTRON爱思强推出全新的外延系统G10,主要用于SiC市场的150/200毫米高通量外延设备(双晶圆尺寸批处理反应器),其多片机可用于碳化硅外延片的大规模量产。
[3]
1:https://mp.weixin.qq.com/s/A2Xtvj-iCwZ0xiW718RDaQ?poc_token=HFiBcmWjE7Yhvmo5DPp6qHJWAY6UHO8BZUHvS50s
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