SiC MOSFET 在开发与应用方面，与相同功率等级的 Si MOSFET 相比，SiC MOSFET 导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。

碳化硅，是第三代化合物半导体，具有大禁带宽度、高临界穿场强、高热导三个最显著的特点，性能优势突出。

碳化硅（Silicon Carbide），是有硅和碳构成的复合半导体材料

碳化硅，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

碳化硅，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成的半导体材料，具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等优点。